近幾年來(lái),人們對(duì)氣壓燒結(jié)進(jìn)行了大量的研究，獲得了很大的進(jìn)展。氣壓燒結(jié)氮化硅在1 ～10MPa氣壓下，2000℃左右溫度下進(jìn)行。高的氮?dú)鈮阂种屏说璧母邷胤纸狻Ｓ捎诓捎酶邷責(zé)Y(jié)，在添加較少燒結(jié)助劑情況下，也足以促進(jìn)Si3N4晶粒生長(zhǎng)，而獲得密度> 99%的含有原位生長(zhǎng)的長(zhǎng)柱狀晶粒高韌性陶瓷. 因此氣壓燒結(jié)無(wú)論在實(shí)驗(yàn)室還是在生產(chǎn)上都得到越來(lái)越大的重視. 氣壓燒結(jié)氮化硅陶瓷具有高韌性、高強(qiáng)度和好的耐磨性，可直接制取接近最終形狀的各種復(fù)雜形狀制品，從而可大幅度降低生產(chǎn)成本和加工費(fèi)用. 而且其生產(chǎn)工藝接近于硬質(zhì)合金生產(chǎn)工藝，適用于大規(guī)模生產(chǎn)。

氮化硅為原料制備氣壓燒結(jié)結(jié)構(gòu)件陶瓷的方法，它包括混料、壓制、冷等靜壓、燒結(jié)以及后加工的步驟，陶瓷原料以重量百分比計(jì)，包括如下組分：Si3N4：80-90％，Y2O3：6-14％，α相Al2O3：1-5％，WC：1-5％，TiC：1-5％。該制備方法步驟簡(jiǎn)單、方便易行，制備工藝穩(wěn)定，生產(chǎn)效率高，利用該方法制備的結(jié)構(gòu)件陶瓷的硬度大、強(qiáng)度高，并且具有較高的耐高溫性能、耐高電壓沖擊性能以及耐彎曲性能，可廣泛用于材料要求高的領(lǐng)域。