本征區(qū)熔硅單晶通過中子輻照可獲得高電阻率均勻性的硅單晶，保證器件制作的成品率和一致性。主要用于硅整流器、可控硅、巨型晶體管、晶閘管、靜電感應晶閘管、絕緣柵雙極晶體管、超高壓二極管、 智能功率器件功率集成器件等，是各類變頻器、整流器、大功率控制器件、新型電力電子器件的主體功能材料，也是多種探測器、傳感器、光電子器件和特殊功率器件的主體功能材料。

基本參數(shù)

品種：3-6英寸區(qū)熔中照單晶

晶向：111/100

型號:N

電阻率范圍:2000-8000

壽命μS:大于1000

均勻性%:小于5%