具體地說，對(duì)于每個(gè)被測(cè)的諧波分量，頻率將設(shè)置為搜索基頻的整數(shù)倍，并且執(zhí)行一次零頻寬掃描，幅度由測(cè)量數(shù)據(jù)的功率平均計(jì)算得到。測(cè)量完數(shù)目的諧波和幅度之后，總諧波失真測(cè)量結(jié)果將自動(dòng)計(jì)算并顯示在數(shù)據(jù)報(bào)表窗口。為使用諧波失真測(cè)量功能自動(dòng)測(cè)量得到的顯示界面，數(shù)據(jù)報(bào)表窗口中順序列出了基頻與諧波分量的頻率和幅度，并給出了總諧波失真。根據(jù)測(cè)量報(bào)表，假設(shè)系統(tǒng)中只有這兩個(gè)諧波分量的話，總諧波失真為3.67%。該結(jié)果可由公式手動(dòng)計(jì)算驗(yàn)證，報(bào)表中二次諧波與基頻的幅度差為-29.1dB，三次諧波與基頻的幅度差為-4.4dB，則總諧波失真為：諧波失真測(cè)量功能一鍵自動(dòng)測(cè)量由此可見，中諧波失真自動(dòng)測(cè)量的結(jié)果與中手動(dòng)測(cè)量的結(jié)果是相互吻合的。

內(nèi)科透析液保溫箱參數(shù)：

因此我們常常把樣品放在高電壓、大電流、高濕度、高溫、較大氣壓等條件下進(jìn)行測(cè)試，然后根據(jù)樣品的失效機(jī)理和模型來推算產(chǎn)品在正常條件下的壽命?？煽啃允菍?duì)產(chǎn)品耐久力的測(cè)量，我們主要典型的IC產(chǎn)品的生命周期可以用一條浴缸曲線來表示。冷熱沖擊試驗(yàn)用來測(cè)試材料結(jié)構(gòu)或復(fù)合材料，在瞬間下經(jīng)高溫、低溫的連續(xù)環(huán)境下所能忍受的程度，適用電工、電子產(chǎn)品、半導(dǎo)體、電子線路板、金屬材料等各種材料在溫度急劇變化環(huán)境下的適應(yīng)性。在研制階段可用于發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品設(shè)計(jì)和工藝缺陷，在有些情況下也可用于環(huán)境應(yīng)力篩選，剔除產(chǎn)品的早期故障。

ITECH款雙極性電源IT64215年上市后，即得到廣泛好評(píng)。作為雙極性電源/電池模擬器，IT64特有的雙極性電壓/電流輸出，可用作雙極電源或雙極電子負(fù)載，廣泛應(yīng)用在便攜式電池供電產(chǎn)品、移動(dòng)電源、LEIC半導(dǎo)體、物聯(lián)網(wǎng)等測(cè)試域。一轉(zhuǎn)眼4年過去，一起來盤點(diǎn)IT64經(jīng)典應(yīng)用案例。1電池測(cè)試——鋰電池充放電循環(huán)測(cè)試鋰離子電池的充電過程為先恒流充電，到接近終止電壓時(shí)改為恒壓充電，且要保證終止電壓精度在1％之內(nèi)。當(dāng)電流流經(jīng)負(fù)載時(shí)，與所加的電壓不呈線性關(guān)系，就形成非正弦電流，即電路中有諧波產(chǎn)生。諧波頻率是基波頻率的整倍數(shù)，根據(jù)法國(guó)數(shù)學(xué)家傅立葉(M.Fourier)分析原理證明，任何重復(fù)的波形都可以分解為含有基波頻率和一系列為基波倍數(shù)的諧波的正弦波分量。諧波是正弦波，每個(gè)諧波都具有不同的頻率，幅度與相角。諧波可以區(qū)分為偶次與奇次性，第7次編號(hào)的為奇次諧波，而8等為偶次諧波，如基波為50Hz時(shí)，2次諧波為l00Hz，3次諧波則是150Hz。

【【標(biāo)題】案例圖片：

基于WB的ROADM架構(gòu)2003年前后，出現(xiàn)了基于平面光波導(dǎo)回路（PLC），通過集成波導(dǎo)，將解復(fù)用器（通常是AWG）、1×2或2×2光開關(guān)、VO分光器及復(fù)用器等集成在一塊芯片上，提高了ROADM的集成度，降低了系統(tǒng)成本。其功能如所示。基于PLC的ROADM架構(gòu)示意圖2個(gè)維度的ROADM，適用于簡(jiǎn)單的鏈狀或環(huán)狀組網(wǎng)，特點(diǎn)為：從一個(gè)方向光纖來的多波長(zhǎng)信號(hào)先通過分光器分成直通和下路兩部分，直通部分經(jīng)解波去掉下路波長(zhǎng)后與上路多波長(zhǎng)合波輸出。但現(xiàn)在，僅有核心工程概念的知識(shí)已經(jīng)不夠了。您必須在所使用的工具和編程結(jié)構(gòu)語義中執(zhí)行這些概念，來創(chuàng)造定制的邏輯。引入了新的非編程工作流，用于測(cè)量數(shù)據(jù)采集、分析和可視化，補(bǔ)充了源自LabVIEW的圖形數(shù)據(jù)流編程范例。它通過將原生學(xué)習(xí)系統(tǒng)集成環(huán)境中，簡(jiǎn)化了使用一種新工具、編碼軟件語言和執(zhí)行工程理論帶來的挑戰(zhàn)。這種學(xué)習(xí)系統(tǒng)在單一環(huán)境同執(zhí)行以上三方面。對(duì)于空間姿態(tài)，在您次使用這些新功能時(shí)，該環(huán)境顯示覆蓋提示與上下文信息。

WLP(WaferLevelPackaging)：晶圓級(jí)封裝，是一種以BGA為基礎(chǔ)經(jīng)過改進(jìn)和提高的CSP，直接在晶圓上進(jìn)行大多數(shù)或是全部的封裝測(cè)試程序，之后再進(jìn)行切割制成單顆組件的方式。上述封裝方式中，系統(tǒng)級(jí)封裝和晶圓級(jí)封裝是當(dāng)前受到熱捧的兩種方式。系統(tǒng)級(jí)封裝因涉及到材料、工藝、電路、器件、半導(dǎo)體、封裝及測(cè)試等，在發(fā)展的過程中對(duì)以上域都將起到帶動(dòng)作用促進(jìn)電子制造產(chǎn)業(yè)進(jìn)步。晶圓級(jí)封裝可分為扇入型和扇出型，IC制造域巨頭臺(tái)積電能夠拿下蘋果A10訂單，其開發(fā)的集成扇出型封裝功不可沒。半導(dǎo)體工業(yè)界預(yù)測(cè)，這種進(jìn)步少仍將持續(xù)10到15年。面對(duì)現(xiàn)有的晶體管模式及已經(jīng)臨近極限，借助芯片設(shè)計(jì)人員巨大的創(chuàng)造才能，使一個(gè)個(gè)看似不可逾越的難關(guān)化險(xiǎn)為夷，硅晶體管繼續(xù)著小型化的步伐。近期美國(guó)科學(xué)家的科技成果顯示，將10納米長(zhǎng)的圖案壓印在硅片上的時(shí)間為四百萬分之一秒，把硅片上晶體管的密度提高了100倍，同時(shí)也大大提高了線生產(chǎn)的速度。這一成果將使電子產(chǎn)品繼續(xù)微小化，使摩爾定律繼續(xù)適用。